晶体生长过程单晶硅炉的高温红外测温仪应用
详细介绍：
晶体生长过程多晶硅炉的双色红外测温仪应用
单晶硅炉常使用型号
1、二线制红外测温仪DG42N(350~1800°C)
2、二线制红外测温仪DS42N(600~2500°C)
3、二线制红外测温仪DG40N(350~1800°C)
4、二线制红外测温仪DS40N(600~2500°C)
5、四线制红外测温仪DG44N(350~1800°C)
6、四线制红外测温仪DS44N(600~2500°C)
多晶硅炉常使用RF-4A14双色红外测温仪
1、低价格双色红外测温仪DSR44N(700~1800°C)
2、中价格双色红外测温仪DSR54N(700~1800°C)
3、中价格双色红外测温仪DSR56N(700~1800°C)
4、高精度双色红外测温仪DSR10N(700~1800°C)
测量空间有限时，推荐使用光纤红外测温仪
1、二线制红外测温仪DSF40N(600~1800°C)
2、二线制红外测温仪DGF40N(350~1800°C)
3、四线制红外测温仪DSF44N(600~1800°C)
4、四线制红外测温仪DGF44N(350~1800°C)
简述
太阳能行业的晶圆生产需要用到单晶硅或多晶硅，是在所谓的晶体生长炉，即单晶硅炉或多晶硅炉拉晶生长的。
这种从炉内生长的单晶或多晶硅，是要从结晶炉(即单晶硅炉或多晶硅炉)熔液慢慢冷却生长出来的。测量这种过程的结晶熔液的温度很重要，同样控制这个结晶过程的加热元件的温度也很重要。这两种温度必须要协调好，才能确保优的晶体生长过程。
太阳能单晶炉可使用的DIAS红外测温仪有10、40、44、54、56这些系列，都可以用来测量晶体生长的熔化温度，性价比较高的40、42、44系列型号有DS42N、DG42N或 DS40N、DG40N、DS44N、DG44N，均为短波红外测温仪，测温范围800 ~ 1800°C 或 800~2500 °C。
多晶硅炉也可使用双色红外测温仪DSR44N、DSR54N、DSR56N、DSR10N。其中44、54、56、10系列可以通过总线连接到现有控制系统。
在测量空间有限时，推荐使用光纤电缆和小光纤探头的光纤红外测温仪；低价格型号有DSF40N、DGF40N、DSF44N、DGF44N ，小的光纤探头的光圈为12mm，测温范围可以选600~1800°C。另外，可以选择90°镜像附件或弯曲的光纤电缆。测量光斑仅仅几个毫米。
不管是哪一种测量任务，都可以选择好合适的红外测温仪参数，获得较优的效果，观测和控制获得极佳的晶体生长。
张掖黑体炉张掖黑体炉
太阳能行业晶体生长用DIAS红外测温仪
太阳能行业晶体生长炉专用红外测温仪
太阳能行业晶体生长炉在线测温用PLUSFO红外测温仪
产品详细描述
企业芯片生产晶圆，例如要生产太阳能晶圆产品，晶体需要从所谓的晶体生长炉(单晶炉、多晶炉)内的熔液拉出。
从熔液形成的晶体生长由晶体化的熔液慢慢冷却形成的。因此，测量熔液的温度很重要，同样，测量加热元件的温度以准确控制过程也很重要。这二个温度需要协调好，以确保晶体生长的优化。
红外测温仪在太阳能行业的应用
在晶体生长公司生产的晶体是太阳能行业晶圆需要的物件。要保证最优的晶体生长过程，过程中的温度必须要保证正确无误。精工仪器公司生产的PLUSFO RF-4A25系列红外双色测温仪可以确保实现晶体生长过程中的温度的准确测量。
红外测温10系列、40系列、42系列、44系列适合这些晶体生长的测温。主要可用的型号有DS40N、DS44N、DG42N、DS42N，测温范围为350~2500°C，均为短波红外测温仪。根据晶体生长系统的型号，也可以使用DSR10N、DSR44N双色红外测温仪。44系列、10系列还可以兼容总线系统，易于集成到现有控制系统中去。
Different steps of the crystal growing. 不同的晶体生长步骤
Different steps of the crystal growth.测量晶体生长过程中的熔化温度、加热元件的温度，可采用红外测温仪
在空间比较狭小的地方，推荐使用光纤红外测温仪。比如可以使用DSF40N及DSF44N系列，测温范围600 ~ 1800 °C ，最小探头光圈仅仅12 mm。此外，还可以选择直角镜或弯曲的光纤电缆。测量光斑仅仅几个毫米直径。从而，对这些温度测量任务，选择最优的红外测温仪光学系数，可以观测和控制这些晶体生长过程。
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• 测温范围500~3300°C
• 线性温度输出 0/4 ~ 20mA
• 内置RS485通信接口
• 内置激光瞄准或视频瞄准
• 不锈钢外壳坚固耐用
• 短响应时间5 ms
• 小测量光斑3.5mm
技术数据
| 测温范围 | 500~1200°C | 500~1200°C |
| 600~1400°C | 600~1400°C | |
| 700~1800°C | 700~1800°C | |
| 800~2500°C | 800~2500°C | |
| 900~3000°C 或1000~3300°C | 900~3000°C或1000~3300°C | |
| 子测温范围 | 在测温范围内可调， 小跨度50°C | |
| 光谱范围 | 0.7 μm ~ 1.1 μm | |
| 光学系数 | 固定焦距(650, 2000, 4000)1，小可测光斑直径为3.5mm | |
| 距离系数 | 50:1 (500~1200°C)， 100:1 (600~1400°C) ，200:1（其它温度范围) | |
| 测量误差2 | 0.5 %测量值(°C) | |
| 重复精度 | 0.1%测量值(°C) | |
| NETD2 | 0.1°C | |
| 响应时间(t95) | 小5ms，可调，可达100s | |
| 比色系数(坡度) | 0.800 ~ 1.200 | |
| 发射率 | 0.050~1.000， 可通过接口或测温仪上的按钮调整 | |
| 透过率 | 50 % ~ 100 % | |
| 存储方式 | 小值和大值存储，通过通信接口可调 | |
| 环温补偿 | 在测温范围内可调 | |
| 输出信号 |
0/4~20 mA， 通过软件调整，线性温度 大负荷: 700 Ω |
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| 通信接口 | 电隔离RS485接口，半双工，大115 kBd，数据通信协议 Modbus MTU | |
| 瞄准方式 | 激光瞄准 | 视频瞄准 |
| 切换输出/切换阈值 | 1 光耦继电器, RLoad 小48 Ω (电隔离)/在测温范围内可调 | |
| 软件 | Windows®下PYROSOFT Spot，可选PYROSOFT Spot Pro | |
| 可调参数 | 通过通信接口或设备可调: 发射率、透过率、环温补偿、响应时间、数据存储设置、子测温范围、切换输出的切换阈值 | |
| 供电电源 | 24 VDC ± 25% | |
| 功耗 | 大1.5 W (在切换输出处无负荷) | |
| 运行温度 | 0~70°C | |
| 存储温度 | –20~70°C | |
| 重量 | 约 600 g | |
| 外壳和尺寸 | 不锈钢圆形外壳，带插头，长度 约105 mm, ∅ 50 mm | |
| 测试规则 | EN 55 011:1998, limit class A | |
| 防护等级 | IP65 符合 DIN EN 60529 和 DIN 40050 | |
| CE认证 |
遵守EU规则(EN 50 011) |
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| 供货范围 | 操作手册, 检测单, 软件PYROSOFT Spot, 无连接电缆(请单独订货) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1 其它固定焦距可按要求定制，如220 mm, 200 : 1. 2 技术指标经过黑体炉标定, T环温 = 23°C, t95 = 1 s. 3 噪声等温差。
附件：
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视频瞄准附件技术参数
| 视频瞄准技术数据 | |
| 视频信号 | 复合视频信号 约1Vss @ 75 Ω (电隔离, 视频信号可以通过软件解除) |
| 颜色规范 | PAL (B), 50 Hz (可选颜色规范 NTSC (M), 60 Hz) |
| 分辨率 | 1/3”微型视频磁片 628 × 586 像素 (可选NTSC: 510 × 496 像素) |
| 曝光控制 | 自动 |
| 可视视场 | 约为可调测量距离的8 % × 6 % (可选NTSC: 6.5 % × 5 %) |
| 日期/时间 | 实时时钟，可存储3天，通过软件可调 |
| 持久图像显示 | 测量光斑处的瞄准标志 , 实测温度, 发射率 |
| 可选图像显示 | 通过软件: 序列号、设备名称或用户定义的正文(16位字符）、日期、 |
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时间、温度单位°C/°F, 12/24小时显示 |
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