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DIT1-0616-I2 红外测温仪 量程 600~1600℃​

作者:admina来源:时间:2022-03-14 11:16:27浏览量:1468人阅读

  

DIT1-0616-I2 红外测温仪 量程 600~1600℃

DIT双色红外测温仪 钨钼烧结 钨钼合金粉末测温 DIT双色测温仪 双色测温方法

DIT-6 双色红外测温仪 化学气相沉积专用测温仪 双色红外测温仪/1000-3000度
DIT比色测温仪:采用双色测温方法,即通过目标物体辐射的两个红外波段的能量比值来确定被测物体的温度。因测量结果取决于两个波段辐射功率之比,以,辐射能量的部分损失对测量结果没有影响。可克服传输介质有灰尘、烟雾、水汽,视场部遮挡和测量距离变化造成的辐射能量衰减而引起的测量误差,特别适用于相对恶劣的测温环境。 
金属热加工过程中,金属表面不可避免会快速氧化形成氧化层,氧化层会随温度变化脱落或者皴裂(例如轧钢生产线),皴裂氧化皮和金属本体形成间隙,使得氧化层的温度低于金属本体温度。双色测温仪可以很好的克服因此引起的测量误差。使得生产工艺数据且离散性小,便于工艺分析。 
比色测温对于真空或保护气体加热系统也具有,可以克服玻璃窗口材料引起的测量误差,让测量值更接近真值。 
DIT比色测温仪具有目视瞄准系统,非常方便用户安装及实时查看测温仪是否对准目标。对于密封环境的测量系统,目视瞄准还可以作为炉内工况的观察窗口。 
DIT比色测温仪具有丰富的功能,实时高亮温度测量值显示,用户可选测量方式,测量模式,测温速度,输出规格设置。完全满足客户各种现场使用需求。人机交互简单,方便。 
单色温度计在使用过程中,会遇到以下几种原因引起的测量误差:1、材料氧化表面状态发生改变,或者氧化物和原始材料开裂而引起较大的测量误差。2、材料本身发射率较低而引起的测量误差。3、测量环境恶劣(粉尘,烟雾,水蒸气等)而引起的测量误差。4、测量孔径不能完全满足测温仪的视场需求而引起的测量误差。 
基本参数: 
测量温度范围及响应波长: 
DIT-6H1 600-1400℃ 0.8-1.1μm(锻造焊管 热处理 化工) 
DIT-6H2 800-1800℃ 0.4-1.1μm(轧钢钛合金材料 耐火材料生产) 
DIT-6H3 1000-3000℃ 0.4-1.1μm(钨钼材料真空设备 科研试验) 
测量精度:±0.75%FS 
重复精度:0.2% 
分 辨 率:0.5℃ 
响应时间:<15ms 
光学参数: 
透镜类型:双胶合透镜 
探 测 器: SI 
测量距离:0.56m-∞ 
距离系数:280:1 
可测小目标:2mm 
电气参数: 
供电电源:24VDC(±20%,500mA) 
模拟输出:0-5V /0-20mA /4-20mA 
数字输出:RS485(选配) 
功 耗:<1.2W 
绝缘电压:≤500VAC 
负载能力:≤300Ω 
操作参数及执行标准: 
环境温度:<60℃ 
相对湿度:10-95%,无冷凝25-45℃ 
物理尺寸:Φ58×183mm 
重 量:0.8kg 
机械冲击:GB/T2423.8-1995 
热 冲 击:GB/T2423.1,GB/T2423.2 
抗干扰标准:JB/T9233.11-1999

比色测温仪: 采用双色测温方法,即通过目标 物体辐射的两个红外波段的能量比值来确定被测物体的 温度。因测量结果取决于两个波段辐射功率之比,所 以,辐射能量的部分损失对测量结果没有影响。可克服 传输介质有灰尘、烟雾、水汽,视场局部遮挡和测量距 离变化造成的辐射能量衰减而引起的测量误差,特别适 用于相对恶劣的测温环境。
金属热加工过程中,金属表面不可避免会快速氧化 形成氧化层,氧化层会随温度变化脱落或者皴裂(例如 轧钢生产线),皴裂氧化皮和金属本体形成间隙,使得 氧化层的温度低于金属本体温度。比色测温仪可以很好 的克服因此引起的测量误差。使得生产工艺数据可靠且 离散性小,便于工艺分析。
比色测温对于真空或保护气体加热系统也具有较强 的,可以克服玻璃窗口材料引起的测量误差,让测 量值更接近真值。
比色测温仪具有目视瞄准系统,非常方便用户 安装及实时查看测温仪是否对准目标。对于密封环境的 测量系统,目视瞄准还可以作为炉内工况的观察窗口。
比色测温仪具有丰富的功能,实时高亮温度测 量值显示,用户可选测量方式,测量模式,测温速度, 输出规格设置。完全满足客户各种现场使用需求。人机 交互简单,方便。
单色温度计在使用过程中,会遇到以下几种原因引 起的测量误差: 、材料氧化表面状态发生改变,或者 氧化物和原始材料开裂而引起较大的测量误差。 、材 料本身发射率较低而引起的测量误差。 、测量环境恶 劣(粉尘,烟雾,水蒸气等)而引起的测量误差。 、 测量孔径不能完全满足测温仪的视场需求而引起的测量 误差。
量程范围
DITH1 600-1400℃
DITH2 800-1800℃
DITH3 1000-3000℃ 探测器 Si0.4-1.1µm/Si 0.8-1.1µm
测量精度 ±0.75%(FS) 测量精度 0.2% ±
温度分辨力1℃
响应时间 5ms ≤
发射率调整 0.80 to 1.10 (0.01) tow-color 0.10 to 1.00(0.01) one-color
现场参数
280:1 2mm@560mmDITH1,DITH2,DITH3
防护等级 IP65
工作温度 0 to 65℃ 存储温度 -20-70℃ 相对湿度
抗冲击 GB/T2423.1,GB/t2423.2 抗扰标准 JB/T9233.11-1999

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