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碳化硅SiC​双色红外高温计用于晶体生长多晶硅过程辐射温度测量的红外测温仪

作者：admina来源：时间：2022-03-29 15:59:44浏览量：1153人阅读

　　碳化硅SiC双色红外高温计用于晶体生长多晶硅过程辐射温度测量的红外测温仪
CellaCrystal系列红外测温仪应用于晶体生长过程中的光学温度测量。

红外测温仪的高分辨率和高稳定性保证晶体生长过程中对温度的精准控制。

晶体生长过程温度测量应用示例
单晶硅生长过程温度监控
多晶硅生长过程温度监控
碳化硅（SiC）生长过程温度监控
CellaCrystal 红外测温仪特点
高精度的宽测量范围：750-3000℃
极高的重复性：2K
同时评估双色和单色通道温度变化
功耗极低（<175 mA），使用寿命长
可通过控制按键调节参数
检测镜头污染功能
可调焦镜头 ：标准镜头；近焦镜头；长焦镜头
三种瞄准方式：目镜，摄像头或激光瞄准
多种信号输出 ：模拟电流；开关信号；RS485 信号
专用软件可并行控制最多30 台测温仪

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